AQX IRF7416TRPBF Nuovo e originale chip circuito integrato IRF7416TRPBF
Caratteristiche del prodotto
TIPO | DESCRIZIONE |
Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
Mfr | Tecnologie Infineon |
Serie | HEXFET® |
Pacchetto | Nastro e bobina (TR) Nastro tagliato (CT) Digi-Reel® |
Stato del prodotto | Attivo |
Tipo FET | Canale P |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | 30 V |
Corrente – Scarico continuo (Id) a 25°C | 10A (Ta) |
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | 4,5 V, 10 V |
Rds attivo (max) @ Id, Vgs | 20 mOhm a 5,6 A, 10 V |
Vgs(esimo) (Max) @ Id | 1 V a 250 µA |
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs | 92 nC a 10 V |
Vg (massimo) | ±20 V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF a 25 V |
Funzionalità FET | - |
Dissipazione di potenza (massima) | 2,5 W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Pacchetto dispositivo del fornitore | 8-SO |
Pacchetto/custodia | 8-SOIC (0,154″, larghezza 3,90 mm) |
Numero del prodotto base | IRF7416 |
Documenti e supporti
TIPO DI RISORSA | COLLEGAMENTO |
Schede tecniche | IRF7416PbF |
Altri documenti correlati | Sistema di numerazione delle parti IR |
Moduli di formazione sul prodotto | Circuiti integrati ad alta tensione (driver di gate HVIC) |
Prodotto presentato | Sistemi di elaborazione dati |
Scheda tecnica HTML | IRF7416PbF |
Modelli EDA | IRF7416TRPBF di Ultra Librarian |
Modelli di simulazione | Modello sciabola IRF7416PBF |
Classificazioni ambientali ed di esportazione
ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
Stato RoHS | Conformità ROHS3 |
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
Stato REACH | REACH Inalterato |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Risorse addizionali
ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
Altri nomi | IRF7416TRPBFD€ SP001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR |
Pacchetto standard | 4.000 |
IRF7416
Benefici
Struttura cellulare planare per SOA ampia
Ottimizzato per la più ampia disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto secondo lo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni con commutazione inferiore a <100 KHz
Pacchetto di potenza a montaggio superficiale standard del settore
Possibilità di saldatura ad onda
MOSFET di potenza HEXFET a canale P singolo da -30 V in un package SO-8
Benefici
A norma RoHS
RDS basso (attivato)
Qualità leader del settore
Valutazione dv/dt dinamica
Commutazione veloce
Completamente classificato come valanghe
Temperatura operativa 175°C
MOSFET a canale P
Transistor
Un transistor è adispositivo a semiconduttoreabituato aamplificareOinterruttoresegnali elettrici eenergia.Il transistor è uno degli elementi costitutivi di base del modernoelettronica.[1]È composto damateriale semiconduttore, di solito con almeno treterminaliper il collegamento ad un circuito elettronico.UNvoltaggioOattualeapplicato a una coppia di terminali del transistor controlla la corrente attraverso un'altra coppia di terminali.Poiché la potenza controllata (in uscita) può essere superiore alla potenza di controllo (in ingresso), un transistor può amplificare un segnale.Alcuni transistor sono confezionati singolarmente, ma molti altri si trovano incorporaticircuiti integrati.
Austro-ungarico fisico Julius Edgar Lilienfeldha proposto il concetto di atransistor ad effetto di camponel 1926, ma a quel tempo non era ancora possibile costruire un dispositivo funzionante.[2]Il primo dispositivo funzionante ad essere costruito fu untransistor a punto di contattoinventato nel 1947 dai fisici americaniJohn BardeenEWalter Brattainmentre si lavora sottoWilliam ShockleyALaboratori Bell.I tre condivisero il 1956Premio Nobel per la fisicaper il loro raggiungimento.[3]Il tipo di transistor più utilizzato è ilTransistor ad effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore(MOSFET), inventato daMohammed AtallaEDawon Kahngai Bell Labs nel 1959.[4][5][6]I transistor hanno rivoluzionato il campo dell'elettronica e hanno aperto la strada a dispositivi più piccoli ed economiciradio,calcolatrici, Ecomputer, tra le altre cose.
La maggior parte dei transistor sono realizzati in materiali molto purisilicioe alcuni dagermanio, ma talvolta vengono utilizzati alcuni altri materiali semiconduttori.Un transistor può avere un solo tipo di portatore di carica, in un transistor ad effetto di campo, o può avere due tipi di portatori di carica in un transistor ad effetto di campo.transistor a giunzione bipolaredispositivi.Rispetto altubo a vuoto, i transistor sono generalmente più piccoli e richiedono meno energia per funzionare.Alcuni tubi a vuoto presentano vantaggi rispetto ai transistor a frequenze operative molto elevate o tensioni operative elevate.Molti tipi di transistor sono realizzati secondo specifiche standardizzate da più produttori.