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IPD068P03L3G nuovo servizio BOM MCU chip IC componenti elettronici originali in magazzino IPD068P03L3G

breve descrizione:


Dettagli del prodotto

Tag dei prodotti

Caratteristiche del prodotto

TIPO DESCRIZIONE
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti

Transistor – FET, MOSFET – Singoli

Mfr Tecnologie Infineon
Serie OptiMOS™
Pacchetto Nastro e bobina (TR)

Nastro tagliato (CT)

Digi-Reel®

Stato del prodotto Attivo
Tipo FET Canale P
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)
Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) 30 V
Corrente – Scarico continuo (Id) a 25°C 70A (Tc)
Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) 4,5 V, 10 V
Rds attivo (max) @ Id, Vgs 6,8 mOhm a 70 A, 10 V
Vgs(esimo) (Max) @ Id 2 V a 150 µA
Carica gate (Qg) (max) @ Vgs 91 nC a 10 V
Vg (massimo) ±20 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7720 pF a 15 V
Funzionalità FET -
Dissipazione di potenza (massima) 100 W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Montaggio superficiale
Pacchetto dispositivo del fornitore PG-TO252-3
Pacchetto/custodia TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguetta), SC-63
Numero del prodotto base IPD068

Documenti e supporti

TIPO DI RISORSA COLLEGAMENTO
Schede tecniche IPD068P03L3 G
Altri documenti correlati Guida ai numeri di parte
Prodotto presentato Sistemi di elaborazione dati
Scheda tecnica HTML IPD068P03L3 G
Modelli EDA IPD068P03L3GATMA1 di Ultra Bibliotecario

Classificazioni ambientali ed di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS Conformità ROHS3
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (illimitato)
Stato REACH REACH Inalterato
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Risorse addizionali

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Altri nomi IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

Pacchetto standard 2.500

Transistor

Un transistor è adispositivo a semiconduttoreabituato aamplificareOinterruttoresegnali elettrici eenergia.Il transistor è uno degli elementi costitutivi di base del modernoelettronica.[1]È composto damateriale semiconduttore, di solito con almeno treterminaliper il collegamento ad un circuito elettronico.UNvoltaggioOattualeapplicato a una coppia di terminali del transistor controlla la corrente attraverso un'altra coppia di terminali.Poiché la potenza controllata (in uscita) può essere superiore alla potenza di controllo (in ingresso), un transistor può amplificare un segnale.Alcuni transistor sono confezionati singolarmente, ma molti altri si trovano incorporaticircuiti integrati.

Austro-ungarico fisico Julius Edgar Lilienfeldha proposto il concetto di atransistor ad effetto di camponel 1926, ma a quel tempo non era ancora possibile costruire un dispositivo funzionante.[2]Il primo dispositivo funzionante ad essere costruito fu untransistor a punto di contattoinventato nel 1947 dai fisici americaniJohn BardeenEWalter Brattainmentre si lavora sottoWilliam ShockleyALaboratori Bell.I tre condivisero il 1956Premio Nobel per la fisicaper il loro raggiungimento.[3]Il tipo di transistor più utilizzato è ilTransistor ad effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore(MOSFET), inventato daMohammed AtallaEDawon Kahngai Bell Labs nel 1959.[4][5][6]I transistor hanno rivoluzionato il campo dell'elettronica e hanno aperto la strada a dispositivi più piccoli ed economiciradio,calcolatrici, Ecomputer, tra le altre cose.

La maggior parte dei transistor sono realizzati in materiali molto purisilicioe alcuni dagermanio, ma talvolta vengono utilizzati alcuni altri materiali semiconduttori.Un transistor può avere un solo tipo di portatore di carica, in un transistor ad effetto di campo, o può avere due tipi di portatori di carica in un transistor ad effetto di campo.transistor a giunzione bipolaredispositivi.Rispetto altubo a vuoto, i transistor sono generalmente più piccoli e richiedono meno energia per funzionare.Alcuni tubi a vuoto presentano vantaggi rispetto ai transistor a frequenze operative molto elevate o tensioni operative elevate.Molti tipi di transistor sono realizzati secondo specifiche standardizzate da più produttori.


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