Nuovo circuito integrato originale BSP772T IP5306 BSZ040N06LS5 TLE7270-2D Chip IC
BSZ040N06LS5
Il livello logico dei MOSFET di potenza OptiMOS™ 5 di Infineon è particolarmente adatto per applicazioni di ricarica wireless, adattatori e telecomunicazioni.La bassa carica di gate dei dispositivi (Q g) riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione.I parametri di merito migliorati consentono operazioni con frequenze di commutazione elevate.Inoltre, il comando a livello logico fornisce una soglia di gate bassatensione di mantenimento (V GS(th)) che consente di pilotare i MOSFET a 5 V e direttamente dai microcontrollori.
Riepilogo delle funzionalità
R DS basso (attivato) in una confezione piccola
Carica di gate bassa
Carica in uscita inferiore
Compatibilità a livello logico
Benefici
Design con densità di potenza più elevata
Frequenza di commutazione più elevata
Conteggio ridotto delle parti ovunque siano disponibili alimentazioni a 5 V
Pilotato direttamente dai microcontrollori (commutazione lenta)
Riduzione dei costi di sistema
Parametrica
| Parametrica | BSZ040N06LS5 |
| Prezzo budget €/1k | 0,56 |
| Ciss | 2400 pF |
| Cos | 500 pF |
| ID (@25°C) max | 101A |
| IDimpulso max | 404A |
| Montaggio | SMD |
| Temperatura operativa min max | -55°C 150°C |
| Ptot max | 69 W |
| Pacchetto | PQFN 3,3 x 3,3 |
| Conteggio pin | 8 perni |
| Polarità | N |
| QG (tipo @4,5 V) | 18 nC |
| Qgd | 5,3 nC |
| RDS (acceso) (@4,5 V LL) max | 5,6 mΩ |
| RDS (acceso) (@4,5 V) max | 5,6 mΩ |
| RDS (acceso) (@10V) max | 4 mΩ |
| Rth massimo | 1,8 K/W |
| RthJAmax | 62 K/W |
| RthJCmax | 1,8 K/W |
| VDSmassimo | 60 V |
| VGS(th) minimo massimo | 1,7 V 1,1 V 2,3 V |
