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  • IPD031N06L3G nuovo servizio BOM MCU chip ic componenti elettronici originali in magazzino IPD031N06L3G

    IPD031N06L3G nuovo servizio BOM MCU chip ic componenti elettronici originali in magazzino IPD031N06L3G

    Attributi del prodotto TIPO DESCRIZIONE Categoria Prodotti a semiconduttori discreti Transistor – FET, MOSFET – Produttore singolo Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Stato del prodotto Tipo FET attivo Tecnologia a canale N MOSFET (ossido di metallo ) Tensione da drenaggio a sorgente (Vdss) 60 V Corrente – Consumo continuo (Id) a 25°C 100 A (Tc) Tensione di comando (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) a Id, Vgs 3,1 mOhm @ 100A...
  • IMZA65R072M1H Chip IC Transistor Componenti elettronici Circuito integrato Condensatore IMZA65R072M1H

    IMZA65R072M1H Chip IC Transistor Componenti elettronici Circuito integrato Condensatore IMZA65R072M1H

    Attributi del prodotto TIPO DESCRIZIONE Categoria Prodotti a semiconduttori discreti Transistor – FET, MOSFET – Produttore singolo Serie Infineon Technologies - Tubo package Stato del prodotto Tipo FET attivo - Tecnologia - Corrente – Consumo continuo (Id) a 25°C 28 A (Tc) Tensione di comando (Rds max) On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs(th) (Max) @ Id - Vgs (Max) - Funzionalità FET - Dissipazione di potenza (Max) - Temperatura di funzionamento - Codice prodotto base IMZA6.. .
  • Circuito integrato elenco distinte base preventivo IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N

    Circuito integrato elenco distinte base preventivo IC IDW30C65D2 GSD4E-9333-TR EP1AGX50DF780C6N

    Attributi del prodotto TIPO DESCRIZIONE Categoria Prodotti a semiconduttori discreti Diodi – Raddrizzatori – Array Produttore Infineon Technologies Serie Rapid 2 Pacchetto Tubo Stato prodotto Configurazione diodo attivo 1 coppia Catodo comune Tipo di diodo Tensione standard – CC inversa (Vr) (Max) Corrente 650 V – Media Rettificata ( Io) (per diodo) 15 A Tensione – Diretta (Vf) (Max) @ Se 2,2 V a 15 A Velocità Recupero rapido =< 500 ns, > 200 mA (Io) Recupero inverso...
  • KWM Nuovo originale transistor BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Chip IC circuito integrato disponibile

    KWM Nuovo originale transistor BSZ100 PG-TSDSON-8 BSZ100N06NS Chip IC circuito integrato disponibile

    Attributi del prodotto TIPO DESCRIZIONE Categoria Prodotti a semiconduttori discreti Transistor – FET, MOSFET – Produttore singolo Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Stato del prodotto Tipo FET attivo Tecnologia a canale N MOSFET (ossido di metallo ) Tensione da scarico a sorgente (Vdss) 60 V Corrente – Scarico continuo (Id) a 25°C 40 A (Tc) Tensione di comando (Max Rds On, Min Rds On) 6 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 20A, 10V...
  • AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF Chip IC Nuovo circuito integrato originale

    AUIRG4PH50S BSZ060NE2LS ISP752RFUMA1 IR3889MTRPBF Chip IC Nuovo circuito integrato originale

    Attributi del prodotto TIPO DESCRIZIONE Categoria Prodotti a semiconduttori discreti Transistor – FET, MOSFET – Produttore singolo Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Stato del prodotto Tipo FET attivo Tecnologia a canale N MOSFET (ossido di metallo ) Tensione da drenaggio a sorgente (Vdss) Corrente 25 V – Consumo continuo (Id) a 25°C 12 A (Ta), 40 A (Tc) Tensione di comando (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm...
  • (STOCK) BSS138NH6327 Prodotto caldo di componenti elettronici nuovi e originali

    (STOCK) BSS138NH6327 Prodotto caldo di componenti elettronici nuovi e originali

    Attributi del prodotto TIPO DESCRIZIONE Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor – FET, MOSFET – Produttore singolo Infineon Technologies Serie SIPMOS® Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Stato del prodotto FET attivo Tipo Tecnologia a canale N MOSFET (ossido di metallo ) Tensione da drenaggio a sorgente (Vdss) 60 V Corrente – Consumo continuo (Id) a 25°C 230 mA (Ta) Tensione di comando (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) a Id, Vgs 3,5 Ohm @ 230mA...
  • Nuovo originale In Magazzino MOSFET Transistor Diodo Tiristore SOT-223 BSP125H6327 IC Chip Componente Elettronico

    Nuovo originale In Magazzino MOSFET Transistor Diodo Tiristore SOT-223 BSP125H6327 IC Chip Componente Elettronico

    Attributi del prodotto TIPO DESCRIZIONE Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor – FET, MOSFET – Produttore singolo Infineon Technologies Serie SIPMOS® Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Stato del prodotto FET attivo Tipo Tecnologia a canale N MOSFET (ossido di metallo ) Tensione da drenaggio a sorgente (Vdss) 600 V Corrente – Consumo continuo (Id) a 25°C 120 mA (Ta) Tensione di comando (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) a Id, Vgs 45 Ohm @120mA...
  • MOSFET originale nuovo di zecca TDSON-8 BSC0902NSI

    MOSFET originale nuovo di zecca TDSON-8 BSC0902NSI

    Attributi del prodotto TIPO DESCRIZIONE Categoria Prodotti a semiconduttori discreti Transistor – FET, MOSFET – Produttore singolo Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Stato del prodotto Tipo FET attivo Tecnologia a canale N MOSFET (ossido di metallo ) Tensione da drenaggio a sorgente (Vdss) Corrente 30 V – Consumo continuo (Id) a 25°C 23 A (Ta), 100 A (Tc) Tensione di comando (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2,8 m...
  • Nuovo circuito integrato disponibile TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 Chip Ic

    Nuovo circuito integrato disponibile TLE4250-2G IRF7495TRPBF BSC160N10NS3G IPB120P04P4L03 Chip Ic

    Attributi del prodotto TIPO DESCRIZIONE Categoria Prodotti a semiconduttori discreti Transistor – FET, MOSFET – Produttore singolo Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Stato del prodotto Tipo FET attivo Tecnologia a canale N MOSFET (ossido di metallo ) Tensione da drenaggio a sorgente (Vdss) Corrente 100 V – Consumo continuo (Id) a 25°C 8,8 A (Ta), 42 A (Tc) Tensione di comando (Max Rds On, Min Rds On) 6 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOh...
  • Circuito integrato nuovo ed originale BSC100N06LS3G

    Circuito integrato nuovo ed originale BSC100N06LS3G

    Attributi del prodotto TIPO DESCRIZIONE Categoria Prodotti a semiconduttori discreti Transistor – FET, MOSFET – Produttore singolo Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Stato del prodotto Tipo FET attivo Tecnologia a canale N MOSFET (ossido di metallo ) Tensione da drenaggio a sorgente (Vdss) Corrente 60 V – Consumo continuo (Id) a 25°C 12 A (Ta), 50 A (Tc) Tensione di comando (Max Rds On, Min Rds On) 4,5 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOh...
  • BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Chip Ic Componente elettronico originale

    BSC070N10NS3G IPD50P04P4L11 SLM9670AQ20FW1311XTMA1 BTS3125EJ Chip Ic Componente elettronico originale

    Attributi del prodotto TIPO DESCRIZIONE Categoria Prodotti a semiconduttori discreti Transistor – FET, MOSFET – Produttore singolo Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Stato del prodotto Tipo FET attivo Tecnologia a canale N MOSFET (ossido di metallo ) Tensione da scarico a sorgente (Vdss) 100 V Corrente – Scarico continuo (Id) a 25°C 90 A (Tc) Tensione di comando (Max Rds On, Min Rds On) 6 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 50A, 10V...
  • AQX BSC060N10NS3G Nuovo e originale circuito integrato chip ic BSC060N10NS3G Attributi del prodotto

    AQX BSC060N10NS3G Nuovo e originale circuito integrato chip ic BSC060N10NS3G Attributi del prodotto

    Attributi del prodotto TIPO DESCRIZIONE Categoria Prodotti a semiconduttori discreti Transistor – FET, MOSFET – Produttore singolo Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel® Stato del prodotto Tipo FET attivo Tecnologia a canale N MOSFET (ossido di metallo ) Tensione da drenaggio a sorgente (Vdss) Corrente 100 V – Consumo continuo (Id) a 25°C 14,9 A (Ta), 90 A (Tc) Tensione di comando (Max Rds On, Min Rds On) 6 V, 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOh...