10AX066H3F34E2SG 100% nuovo e originale Amplificatore di isolamento 1 circuito differenziale 8-SOP

10AX066H3F34E2SG Amplificatore di isolamento nuovo e originale al 100% 1 differenziale di circuito 8-SOP Immagine in evidenza

breve descrizione:

Protezione dalle manomissioni: protezione completa del design per proteggere i vostri preziosi investimenti IP

Sicurezza di progettazione avanzata con standard di crittografia avanzato (AES) a 256 bit con autenticazione

Configurazione tramite protocollo (CvP) utilizzando PCIe Gen1, Gen2 o Gen3

Riconfigurazione dinamica dei ricetrasmettitori e dei PLL

Riconfigurazione parziale a grana fine del tessuto centrale

Interfaccia seriale x4 attiva

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Dettagli del prodotto

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Caratteristiche del prodotto

RoHS UE	Conforme
ECCN (Stati Uniti)	3A001.a.7.b
Stato della parte	Attivo
HTS	8542.39.00.01
Settore automobilistico	No
PPAP	No
Cognome	Arria® 10GX
Tecnologia di processo	20nm
I/O utente	492
Numero di registri	1002160
Tensione di alimentazione operativa (V)	0.9
Elementi logici	660000
Numero di moltiplicatori	3356 (18x19)
Tipo di memoria del programma	SRAM
Memoria incorporata (Kbit)	42660
Numero totale di blocchi RAM	2133
Unità logiche del dispositivo	660000
Dispositivo Numero di DLL/PLL	16
Canali del ricetrasmettitore	24
Velocità del ricetrasmettitore (Gbps)	17.4
DSP dedicato	1678
PCIe	2
Programmabilità	SÌ
Supporto alla riprogrammabilità	SÌ
Protezione dalla copia	SÌ
Programmabilità nel sistema	SÌ
Grado di velocità	3
Standard di I/O a terminazione singola	LVTTL\|LVCMOS
Interfaccia di memoria esterna	SDRAM DDR3\|DDR4\|LPDDR3\|RLDRAM II\|RLDRAM III\|QDRII+SRAM
Tensione di alimentazione operativa minima (V)	0,87
Tensione di alimentazione operativa massima (V)	0,93
Tensione I/O (V)	1.2\|1.25\|1.35\|1.5\|1.8\|2.5\|3
Temperatura operativa minima (°C)	0
Temperatura operativa massima (°C)	100
Grado di temperatura del fornitore	Esteso
Nome depositato	Arria
Montaggio	Montaggio superficiale
Altezza del pacco	2.63
Larghezza del pacco	35
Lunghezza del pacchetto	35
Il PCB è cambiato	1152
Nome del pacchetto standard	BGA
Pacchetto fornitore	FC-FBGA
Conteggio pin	1152
Forma del piombo	Palla

Tipo di circuito integrato

Rispetto agli elettroni, i fotoni non hanno massa statica, interazione debole, forte capacità anti-interferenza e sono più adatti alla trasmissione di informazioni.Si prevede che l’interconnessione ottica diventerà la tecnologia fondamentale per sfondare il muro del consumo energetico, il muro di stoccaggio e il muro di comunicazione.Illuminante, accoppiatore, modulatore e dispositivi di guida d'onda sono integrati nelle caratteristiche ottiche ad alta densità come il micro sistema fotoelettrico integrato, possono realizzare qualità, volume, consumo energetico dell'integrazione fotoelettrica ad alta densità, piattaforma di integrazione fotoelettrica che include semiconduttori composti III - V integrati monolitici (INP ) piattaforma di integrazione passiva, piattaforma di silicato o vetro (guida d'onda ottica planare, PLC) e piattaforma basata su silicio.

La piattaforma InP viene utilizzata principalmente per la produzione di laser, modulatori, rilevatori e altri dispositivi attivi, basso livello tecnologico, elevato costo del substrato;Utilizzo della piattaforma PLC per produrre componenti passivi, con basse perdite e grandi volumi;Il problema più grande con entrambe le piattaforme è che i materiali non sono compatibili con l'elettronica a base di silicio.Il vantaggio più importante dell'integrazione fotonica basata sul silicio è che il processo è compatibile con il processo CMOS e il costo di produzione è basso, quindi è considerato lo schema di integrazione optoelettronico e persino completamente ottico con il maggior potenziale

Esistono due metodi di integrazione per dispositivi fotonici basati su silicio e circuiti CMOS.

Il vantaggio dei primi è che i dispositivi fotonici e quelli elettronici possono essere ottimizzati separatamente, ma il successivo confezionamento è difficile e le applicazioni commerciali sono limitate.Quest'ultimo risulta di difficile progettazione ed elaborazione dell'integrazione dei due dispositivi.Al momento, l’assemblaggio ibrido basato sull’integrazione delle particelle nucleari è la scelta migliore

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