Chip Merrill Nuovo e originale in stock Componenti elettronici circuito integrato IC IRFB4110PBF
Caratteristiche del prodotto
| TIPO | DESCRIZIONE |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti |
| Mfr | Tecnologie Infineon |
| Serie | HEXFET® |
| Pacchetto | Tubo |
| Stato del prodotto | Attivo |
| Tipo FET | Canale N |
| Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) |
| Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | 100 V |
| Corrente – Scarico continuo (Id) a 25°C | 120A (Tc) |
| Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | 10 V |
| Rds attivo (max) @ Id, Vgs | 4,5 mOhm a 75 A, 10 V |
| Vgs(esimo) (Max) @ Id | 4 V a 250 µA |
| Carica gate (Qg) (max) @ Vgs | 210 nC a 10 V |
| Vg (massimo) | ±20 V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9620 pF a 50 V |
| Funzionalità FET | - |
| Dissipazione di potenza (massima) | 370 W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Foro passante |
| Pacchetto dispositivo del fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto/custodia | TO-220-3 |
| Numero del prodotto base | IRFB4110 |
Documenti e supporti
| TIPO DI RISORSA | COLLEGAMENTO |
| Schede tecniche | IRFB4110PbF |
| Altri documenti correlati | Sistema di numerazione delle parti IR |
| Moduli di formazione sul prodotto | Circuiti integrati ad alta tensione (driver di gate HVIC) |
| Prodotto presentato | Robotica e veicoli a guida automatizzata (AGV) |
| Scheda tecnica HTML | IRFB4110PbF |
| Modelli EDA | IRFB4110PBF di SnapEDA |
| Modelli di simulazione | IRFB4110PBF Modello Sciabola |
Classificazioni ambientali ed di esportazione
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
| Stato RoHS | Conformità ROHS3 |
| Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | 1 (illimitato) |
| Stato REACH | REACH Inalterato |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Risorse addizionali
| ATTRIBUTO | DESCRIZIONE |
| Altri nomi | 64-0076PBF-ND 64-0076PBF SP001570598 |
| Pacchetto standard | 50 |
La famiglia di MOSFET di potenza Strong IRFET™ è ottimizzata per un basso RDS(on) e capacità di corrente elevata.I dispositivi sono ideali per applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza.Il portafoglio completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori CC, sistemi di gestione delle batterie, inverter e convertitori CC-CC.
Riepilogo delle funzionalità
Pacchetto di potenza a foro passante standard del settore
Potenza nominale elevata
Qualificazione del prodotto secondo lo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni con commutazione inferiore a <100 kHz
Diodo body più morbido rispetto alla precedente generazione di silicio
Ampio portafoglio disponibile
Benefici
La piedinatura standard consente la sostituzione immediata
Pacchetto con capacità di trasporto ad alta corrente
Livello di qualifica standard del settore
Elevate prestazioni nelle applicazioni a bassa frequenza
Maggiore densità di potenza
Fornisce ai progettisti flessibilità nella scelta del dispositivo più ottimale per la loro applicazione
Parametrici
| Parametrica | IRFB4110 |
| Prezzo budget €/1k | 1,99 |
| ID (@25°C) max | 180A |
| Montaggio | THT |
| Temperatura operativa min max | -55°C 175°C |
| Ptot max | 370 W |
| Pacchetto | TO-220 |
| Polarità | N |
| QG (tipo @10V) | 150 nC |
| Qgd | 43 nC |
| RDS (acceso) (@10V) max | 4,5 mΩ |
| RthJCmax | 0,4 K/W |
| Tj massimo | 175 °C |
| VDSmassimo | 100 V |
| VGS(th) minimo massimo | 3 V 2 V 4 V |
| VGSmassimo | 20 V |
Prodotti a semiconduttore discreti
I prodotti a semiconduttore discreti includono singoli transistor, diodi e tiristori, nonché piccoli array di tali composti composti da due, tre, quattro o qualche altro piccolo numero di dispositivi simili all'interno di un singolo pacchetto.Sono comunemente utilizzati per costruire circuiti con notevoli sollecitazioni di tensione o corrente o per realizzare funzioni circuitali molto elementari.
